記憶と理解が必要な部分ですね。
最初はなんじゃこりゃですが、ハードについても知見が必要なのがネスぺ。。。えぐい。
記憶方式・デバイスの比較表
| 種類 | フル名称 | 1セルあたりの記録ビット数 | 1セルの状態数 | 特徴 | 書き換え寿命（目安） | 速度（読み書き） | コスト | 主な用途 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SLC | Single-Level Cell | 1ビット | 2（0か1） | 最も信頼性が高く、耐久性・速度に優れる | 高（約100,000回） | 高速 | 高価 | 産業用SSD、サーバ、ミッションクリティカル |
| MLC | Multi-Level Cell | 2ビット | 4（00〜11） | バランス型。コストと耐久性の中間 | 中（約3,000〜10,000回） | 中程度 | 中程度 | 一般PC、業務用SSD |
| TLC | Triple-Level Cell | 3ビット | 8（000〜111） | コスト重視。耐久性や速度は下がる | 低（約500〜3,000回） | 遅め | 安価 | 一般消費者向けSSD、USBメモリ |
| QLC | Quad-Level Cell | 4ビット | 16（0000〜1111） | 大容量・低価格。耐久性と速度はさらに低下 | 非常に低い（数百〜1,000回未満） | 遅い | 最安 | データ保存用、大容量低価格ストレージ |
次々！
記憶原理ごとの方式とデバイスの比較
| 名称 | 使用素子 | 記憶方式 | 特徴 | 揮発性 | 主な用途 |
|---|---|---|---|---|---|
| DRAM | コンデンサ | 電荷の有無で記憶 | 高速・高密度・リフレッシュが必要 | 揮発性 | 主記憶（メインメモリ） |
| SRAM | フリップフロップ（トランジスタ） | 回路状態（論理1/0）を保持 | 超高速・高価・大きい | 揮発性 | キャッシュメモリ（CPU L1/L2） |
| フラッシュメモリ（NAND） | フローティングゲート or チャージトラップ | 電荷の保持で記憶 | 不揮発・書き換え回数制限あり | 不揮発性 | SSD、USBメモリ |
| MRAM | 磁気トンネル接合 | 電気抵抗の変化で記憶 | 高速・高耐久・不揮発 | 不揮発性 | 高信頼メモリ、組込向け |
| ReRAM | 抵抗変化材料 | 電圧で抵抗値を変えて記憶 | 将来性あり・構造が単純 | 不揮発性 | 開発中（新世代メモリ候補） |
| FRAM（FeRAM） | 強誘電体 | 分極の方向で記憶 | 高速・低消費電力 | 不揮発性 | ICカード等 |
| ROM | シリコンマスクなど | 出荷時に固定されたパターン | 読み出し専用 | 不揮発性 | BIOS等 |
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